SDM2000 硅半导体个人剂量仪

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所在地：	广东深圳市
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最后更新：	2021-07-27 11:16
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公司基本资料信息

产品详细说明

SDM2000 硅半导体个人剂量仪

、产品描述：
SDM2000个人剂量仪以半导体探测器作为X、γ探测器件，能够测量有X、γ辐射引起的个人累积剂量当量和剂量当量率。剂量和剂量率数据均可由LCD直接显示读出。剂量仪可预置剂量和剂量率报警阈值，超阈时发出声、光报警。可保存工作结束时的测量数据，断电情况下数据不丢失。剂量仪自动检测电池电压，欠压时可显示欠压符号。仪器主要技术指标符合国家标准和国际标准，它广泛适用于工业无损探伤、核电站、同位素应用和医院钴治疗等领域。

二、特点：
a、仪器灵敏度高，对环境本底亦有响应
b、采用单片机技术，功能多，体积小
c、仪器操作简单，使用方便
d、累积剂量、剂量率切换显示
e、抗电磁干扰能力强

三、技术指标：
1、探测器：硅半导体探测器
2、测量显示范围:
      剂量率: 0.1 μSv/h~999.9 mSv/h
      累计剂量: 0.0 μSv~9999 mSv
3、报警阈:
      剂量率: 1 μSv/h~1 Sv/h之间连续可调
      累计剂量: 1 μSv~10 Sv之间连续可调
4、报警功能:
      以声(蜂鸣器)、光(LED)及LCD指示进行累积剂量及剂量率超阈、电池欠压、工作超时和探测器失效报警。可设置不同累积剂量增量提示声音(声响强度 > 80dB, 距剂量仪30cm处)。
5、能量响应:<±20%（48 keV ~ 1.5 MeV）
6、线性误差：1 μSv/h ~ 1 Sv/h，≤15%。
7、抵冲击和振动：符合IEC1283标准要求
8、过载特性：大于20 Sv/h
9、电源:AA型3.6V电池节，电池寿命 >1000小时 (50 mSv/年,1.8 Ah)。
10、欠压指示：当电池电压≤3.1±0.1V时，显示欠压符号
11、温度特性：
       0 ~ +40℃测量值变化<±10%
       -10 ~ +50℃测量值变化<±15%
12、相对湿度: 40% ≤RH≤95% (35℃)时测量值变化<±10%
13、重量：100g
14、尺寸：90×62×25 mm